ESD二极管通常与GCNMOS一起构成ESD防护网络。通过二极管将IO端口的ESD泄放到VDD-Rail上，或是将GND-Rail上的ESD电路泄放到IO，从而实现对电子设备的全方面保护。ESD二极管还可以实现Gate Clamp技术，通过控制二极管串的数量，调整Gate Clamp的设计窗口，使其在正常工作时关闭，发生ESD时开启，从而保护易出现失效的MOS管。ESD二极管作为一种齐纳二极管，具有齐纳击穿和雪崩击穿两种特性。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致反向电流突然增加的现象，而雪崩击穿则是由于电子与晶格中的原子碰撞电离产生电子空穴对导致的。这两种击穿特性使得ESD二极管能够在不同的电压范围内提供有效的保护。
ESD二极管，即静电放电保护二极管，是电子设备中重要的保护元件。它主要用于防止静电放电对电子元器件产生的损害，通过吸收和耗散静电放电的能量，保护电路中的其他元件免受破坏。ESD二极管的工作原理基于其特殊的PN结结构。在正常工作状态下，它处于正向偏置，阻抗很小。当静电放电发生时，二极管会瞬间反向击穿，导电能力大增，从而吸收静电放电的能量，保护后方电路。ESD二极管一般由PN结、金属电极和保护结构组成。PN结是关键部件，由P型半导体和N型半导体构成。金属电极用于引出电流，保护结构则增强二极管的抗静电放电能力。
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